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掩埋界面处的表面态散射

Surface state scattering at a buried interface.

作者信息

Schiller F, Keyling R, Chulkov E V, Ortega J E

机构信息

Donostia International Physics Center, Paseo Manuel Lardizabal 4, E-20018 San Sebastián, Spain.

出版信息

Phys Rev Lett. 2005 Sep 16;95(12):126402. doi: 10.1103/PhysRevLett.95.126402. Epub 2005 Sep 12.

DOI:10.1103/PhysRevLett.95.126402
PMID:16197091
Abstract

The free-electron-like surface state of Mg(0001) is strongly modified in thin films grown on W(110). The long bulk penetration length of its wave function makes it sensitive to the reflective properties of the buried interface, and hence to the complex electronic structure of the substrate. In particular we find a many-fold splitting of the Mg surface band by entering a wide projected band gap of W(110). There is a strong thickness-dependent two-band splitting, which is a clear signature of the formation of a surface-interface resonant state. An additional split-off from these two surface bands is explained by the substrate induced spin-orbit interaction.

摘要

在W(110)上生长的薄膜中,Mg(0001)类似自由电子的表面态会被显著改变。其波函数的长体穿透深度使其对掩埋界面的反射特性敏感,进而对衬底的复杂电子结构敏感。特别是,通过进入W(110)的宽投影带隙,我们发现Mg表面能带出现了多重分裂。存在强烈的厚度依赖型双能带分裂,这是表面 - 界面共振态形成的明显标志。这两个表面能带的额外分裂是由衬底诱导的自旋 - 轨道相互作用所解释的。

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