• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利:CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法,用中文像聊天一样搜索,搜遍4000万医学文献。AI智能推荐,让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版,准确专业,支持PDF/Word/PPT等文件格式,支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述,25分钟生成高质量综述,智能提取关键信息,辅助科研写作。

立即免费体验

氢钝化的110硅纳米线的神奇结构

Magic structures of h-passivated 110 silicon nanowires.

作者信息

Chan Tzu-Liang, Ciobanu Cristian V, Chuang Feng-Chuan, Lu Ning, Wang Cai-Zhuang, Ho Kai-Ming

机构信息

US Department of Energy Ames Laboratory and Physics Department, Iowa State University, Ames, Iowa 50011, USA.

出版信息

Nano Lett. 2006 Feb;6(2):277-81. doi: 10.1021/nl0522633.

DOI:10.1021/nl0522633
PMID:16464050
Abstract

We report a genetic algorithm approach combined with ab initio calculations to determine the structure of hydrogenated 110 Si nanowires. As the number of atoms per length increases, we find that the cross section of the nanowire evolves from chains of six-atom rings to fused pairs of such chains to hexagons bounded by {001} and {111} facets. Our calculations predict that hexagonal wires become stable starting at about 1.2 nm diameter, which is consistent with recent experimental reports of nanowires with diameters of about 3 nm.

摘要

我们报告了一种结合遗传算法和从头计算法来确定氢化110硅纳米线结构的方法。随着每长度原子数的增加,我们发现纳米线的横截面从六原子环链演变为这种链的融合对,再到由{001}和{111}面界定的六边形。我们的计算预测,六边形纳米线从直径约1.2纳米开始变得稳定,这与最近关于直径约3纳米纳米线的实验报告一致。

相似文献

1
Magic structures of h-passivated 110 silicon nanowires.氢钝化的110硅纳米线的神奇结构
Nano Lett. 2006 Feb;6(2):277-81. doi: 10.1021/nl0522633.
2
Confinement effects and hyperfine structure in se doped silicon nanowires.掺硒硅纳米线中的约束效应和超精细结构。
Nano Lett. 2011 Nov 9;11(11):4509-14. doi: 10.1021/nl202803n. Epub 2011 Sep 29.
3
Phonon band structure of si nanowires: a stability analysis.硅纳米线的声子能带结构:稳定性分析
Nano Lett. 2009 Jan;9(1):107-11. doi: 10.1021/nl802613p.
4
Surface charge sensitivity of silicon nanowires: size dependence.硅纳米线的表面电荷敏感性:尺寸依赖性
Nano Lett. 2007 Sep;7(9):2608-12. doi: 10.1021/nl0709017. Epub 2007 Aug 11.
5
Diameter-dependent growth direction of epitaxial silicon nanowires.外延硅纳米线的直径依赖性生长方向
Nano Lett. 2005 May;5(5):931-5. doi: 10.1021/nl050462g.
6
First-principles study of silicon nanowire approaching the bulk limit.硅纳米线逼近体相极限的第一性原理研究。
Nano Lett. 2011 Nov 9;11(11):4794-9. doi: 10.1021/nl2026212. Epub 2011 Sep 30.
7
Tunable light emission from quantum-confined excitons in TiSi2-catalyzed silicon nanowires.在TiSi2催化的硅纳米线中量子受限激子的可调谐发光。
Nano Lett. 2006 Sep;6(9):2140-4. doi: 10.1021/nl061287m.
8
Doping of Si into GaN nanowires and optical properties of resulting composites.硅掺杂到氮化镓纳米线中及所得复合材料的光学性质。
J Nanosci Nanotechnol. 2005 Apr;5(4):530-5. doi: 10.1166/jnn.2005.097.
9
Inducing electronic changes in graphene through silicon (100) substrate modification.通过硅(100)衬底修饰诱导石墨烯中的电子变化。
Nano Lett. 2011 Jul 13;11(7):2735-42. doi: 10.1021/nl201022t. Epub 2011 Jun 10.
10
Electronic properties of pristine and Se doped [001] silicon nanowires: an ab initio study.原始及硒掺杂的[001]硅纳米线的电子特性:一项从头算研究。
J Nanosci Nanotechnol. 2012 Nov;12(11):8704-9. doi: 10.1166/jnn.2012.6820.

引用本文的文献

1
Combinatorial growth of Si nanoribbons.硅纳米带的组合生长。
Nanoscale Res Lett. 2011 Jul 27;6(1):476. doi: 10.1186/1556-276X-6-476.