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一种用于可穿戴脑电图系统的低电压低功耗前端。

A low-voltage low-power front-end for wearable EEG systems.

作者信息

Yates D, López-Morillo E, Carvajal R G, Ramirez-Angulo J, Rodriguez-Villegas E

机构信息

Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Imperial College, London, UK.

出版信息

Annu Int Conf IEEE Eng Med Biol Soc. 2007;2007:5282-5. doi: 10.1109/IEMBS.2007.4353533.

DOI:10.1109/IEMBS.2007.4353533
PMID:18003199
Abstract

A low-voltage and low-power front-end for miniaturized, wearable EEG systems is presented. The instrumentation amplifier, which removes the electrode drift and conditions the signal for a 10-bit A/D converter, combines a chopping strategy with quasi-FGMOS (QFG) transistors to minimize low frequency noise whilst enabling operation at 1 V supply. QFG devices are also key to the A/D converter operating at 1.2 V with 70dB of SNR and an oversampling ratio of 64. The whole system consumes less than 2uW at 1.2V.

摘要

本文介绍了一种用于小型化可穿戴脑电图(EEG)系统的低电压、低功耗前端电路。该仪表放大器可消除电极漂移,并为10位模数转换器调理信号,它将斩波策略与准浮栅金属氧化物半导体(QFG)晶体管相结合,以最小化低频噪声,同时实现1V电源电压下的工作。QFG器件也是模数转换器在1.2V电源电压下工作、信噪比为70dB且过采样率为64的关键。整个系统在1.2V电源电压下的功耗小于2微瓦。

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