• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利:CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法,用中文像聊天一样搜索,搜遍4000万医学文献。AI智能推荐,让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版,准确专业,支持PDF/Word/PPT等文件格式,支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述,25分钟生成高质量综述,智能提取关键信息,辅助科研写作。

立即免费体验

The use of single-source precursors for the solution-liquid-solid growth of metal sulfide semiconductor nanowires.

作者信息

Sun Jianwei, Buhro William E

机构信息

Department of Chemistry and Center for Materials Innovation, Washington University, 1 Brookings Drive, St. Louis, MO 63130, USA.

出版信息

Angew Chem Int Ed Engl. 2008;47(17):3215-8. doi: 10.1002/anie.200705142.

DOI:10.1002/anie.200705142
PMID:18351606
Abstract
摘要

相似文献

1
The use of single-source precursors for the solution-liquid-solid growth of metal sulfide semiconductor nanowires.单源前驱体在金属硫化物半导体纳米线溶液-液相-固相生长中的应用。
Angew Chem Int Ed Engl. 2008;47(17):3215-8. doi: 10.1002/anie.200705142.
2
Solution-liquid-solid growth of ternary Cu-In-Se semiconductor nanowires from multiple- and single-source precursors.多元和单源前体制备三元 Cu-In-Se 半导体纳米线的溶液-液-固生长
J Am Chem Soc. 2009 Nov 11;131(44):16177-88. doi: 10.1021/ja905730n.
3
Solution-liquid-solid growth of semiconductor nanowires.半导体纳米线的溶液-液体-固体生长法
Inorg Chem. 2006 Sep 18;45(19):7511-21. doi: 10.1021/ic060498r.
4
Solution-liquid-solid synthesis of semiconductor nanowires using clusters as single-source precursors.利用团簇作为单源前体制备半导体纳米线的溶液-液-固合成。
Small. 2011 Sep 5;7(17):2464-8. doi: 10.1002/smll.201100343. Epub 2011 Jul 4.
5
Soluble InP and GaP nanowires: self-seeded, solution-liquid-solid synthesis and electrical properties.可溶性磷化铟和磷化镓纳米线:自籽晶法、溶液-液-固合成及电学性质
Chemistry. 2009;15(18):4546-52. doi: 10.1002/chem.200900190.
6
Epitaxial growth of silicon nanowires using an aluminium catalyst.使用铝催化剂外延生长硅纳米线。
Nat Nanotechnol. 2006 Dec;1(3):186-9. doi: 10.1038/nnano.2006.133. Epub 2006 Nov 26.
7
III-V semiconductor nanowire growth: does arsenic diffuse through the metal nanoparticle catalyst?III-V族半导体纳米线生长:砷是否会扩散穿过金属纳米颗粒催化剂?
Nanotechnology. 2009 Jul 8;20(27):275604. doi: 10.1088/0957-4484/20/27/275604. Epub 2009 Jun 17.
8
Formation of compositionally abrupt axial heterojunctions in silicon-germanium nanowires.硅锗纳米线中成分突变轴向异质结的形成
Science. 2009 Nov 27;326(5957):1247-50. doi: 10.1126/science.1178606.
9
Growth of ZnO nanowires catalyzed by size-dependent melting of Au nanoparticles.金纳米颗粒尺寸依赖性熔化催化氧化锌纳米线的生长。
Nanotechnology. 2009 Oct 7;20(40):405603. doi: 10.1088/0957-4484/20/40/405603. Epub 2009 Sep 8.
10
Solution-liquid-solid (SLS) growth of silicon nanowires.硅纳米线的溶液-液体-固体(SLS)生长法。
J Am Chem Soc. 2008 Apr 23;130(16):5436-7. doi: 10.1021/ja8011353. Epub 2008 Mar 29.

引用本文的文献

1
Unique Growth Pathway in Solution-Solid-Solid Nanowires: Cubic to Hexagonal Phase Transformation.溶液-固体-固体纳米线中的独特生长途径:立方相到六方相的转变
ACS Omega. 2020 Jul 17;5(29):18441-18448. doi: 10.1021/acsomega.0c02302. eCollection 2020 Jul 28.
2
Solution-Liquid-Solid Growth and Catalytic Applications of Silica Nanorod Arrays.二氧化硅纳米棒阵列的溶液-液体-固体生长及催化应用
Adv Sci (Weinh). 2020 May 27;7(13):2000310. doi: 10.1002/advs.202000310. eCollection 2020 Jul.
3
Pulsed axial epitaxy of colloidal quantum dots in nanowires enables facet-selective passivation.
纳米线中胶体量子点的脉冲轴向外延实现了晶面选择钝化。
Nat Commun. 2018 Nov 23;9(1):4947. doi: 10.1038/s41467-018-07422-4.
4
Synthesis and Characterization of PtTe Multi-Crystallite Nanoparticles using Organotellurium Nanocomposites.使用有机碲纳米复合材料合成并表征 PtTe 多晶纳米颗粒。
Sci Rep. 2017 Aug 29;7(1):9889. doi: 10.1038/s41598-017-10239-8.
5
Indium phosphide nanowires and their applications in optoelectronic devices.磷化铟纳米线及其在光电器件中的应用。
Proc Math Phys Eng Sci. 2016 Mar;472(2187):20150804. doi: 10.1098/rspa.2015.0804.
6
Spectroscopic identification of tri-n-octylphosphine oxide (TOPO) impurities and elucidation of their roles in cadmium selenide quantum-wire growth.三正辛基氧化膦(TOPO)杂质的光谱鉴定及其在硒化镉量子线生长中作用的阐释。
J Am Chem Soc. 2009 Apr 8;131(13):4983-94. doi: 10.1021/ja900191n.