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抛物型 GaAs/AlGaAs 量子阱中的门控自旋轨道相互作用。

Gate-controlled spin-orbit interaction in a parabolic GaAs/AlGaAs quantum well.

作者信息

Studer M, Salis G, Ensslin K, Driscoll D C, Gossard A C

机构信息

IBM Research, Zurich Research Laboratory, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland.

出版信息

Phys Rev Lett. 2009 Jul 10;103(2):027201. doi: 10.1103/PhysRevLett.103.027201. Epub 2009 Jul 7.

DOI:10.1103/PhysRevLett.103.027201
PMID:19659239
Abstract

We study the tunability of the spin-orbit interaction in a two-dimensional electron gas with a front and a back gate electrode by monitoring the spin precession frequency of drifting electrons using time-resolved Kerr rotation. The Rashba spin splitting can be tuned by the gate biases, while we find a small Dresselhaus splitting that depends only weakly on the gating. We determine the absolute values and signs of the two components and show that for zero Rashba spin splitting the anisotropy of the spin-dephasing rate vanishes.

摘要

我们通过使用时间分辨克尔旋转监测漂移电子的自旋进动频率,研究了具有前栅极和后栅极电极的二维电子气中自旋轨道相互作用的可调性。Rashba自旋分裂可以通过栅极偏置进行调节,而我们发现一个小的Dresselhaus分裂,它仅微弱地依赖于栅极控制。我们确定了这两个分量的绝对值和符号,并表明对于零Rashba自旋分裂,自旋退相速率的各向异性消失。

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