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在液氮温度下具有超低暗计数率的多像素硅雪崩光电二极管。

Multipixel silicon avalanche photodiode with ultralow dark count rate at liquid nitrogen temperature.

作者信息

Akiba M, Tsujino K, Sato K, Sasaki M

机构信息

National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1, Nukuikitamachi, Koganei-city, Tokyo 184-8795, Japan.

出版信息

Opt Express. 2009 Sep 14;17(19):16885-97. doi: 10.1364/OE.17.016885.

DOI:10.1364/OE.17.016885
PMID:19770905
Abstract

Multipixel silicon avalanche photodiodes (Si APDs) are novel photodetectors used as silicon photomultipliers (SiPMs), or multipixel photon counter (MPPC), because they have fast response, photon-number resolution, and a high count rate; one drawback, however, is the high dark count rate. We developed a system for cooling an MPPC to liquid nitrogen temperature and thus reduce the dark count rate. Our system achieved dark count rates of <0.2 cps. Here we present the afterpulse probability, counting capability, timing jitter, and photon-number resolution of our system at 78.5 K and 295 K.

摘要

多像素硅雪崩光电二极管(Si APD)是用作硅光电倍增管(SiPM)或多像素光子计数器(MPPC)的新型光电探测器,因为它们具有快速响应、光子数分辨率和高计数率;然而,一个缺点是暗计数率高。我们开发了一种将MPPC冷却到液氮温度从而降低暗计数率的系统。我们的系统实现了小于0.2 cps的暗计数率。在此,我们展示了我们的系统在78.5 K和295 K时的后脉冲概率、计数能力、定时抖动和光子数分辨率。

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引用本文的文献

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Nat Commun. 2012 Jan 24;3:644. doi: 10.1038/ncomms1641.