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超壁螺旋 InGaAs/GaAs 量子点微管的相干发射。

Coherent emission from ultrathin-walled spiral InGaAs/GaAs quantum dot microtubes.

机构信息

Department of Electrical and Computer Engineering, McGill University, 3480 University Street, Montreal, Quebec H3A 2A7, Canada.

出版信息

Opt Lett. 2009 Oct 1;34(19):2915-7. doi: 10.1364/OL.34.002915.

DOI:10.1364/OL.34.002915
PMID:19794766
Abstract

We report on the achievement of strong coherent emission from GaAs-based single-walled spiral microtubes, wherein photons are localized in an ultrathin (approximately lambda/25) region embedded with self-organized InGaAs quantum dots. The emission spectra measured at 300 K are characterized by a regular sequence of sharp optical modes with a maximum Q factor of approximately 2500 and separation of approximately 7 meV. The three-dimensional confinement of photons is made possible by the epitaxially smooth tube surface as well as an engineered surface geometry, achieved using a single photolithography step. The experimental results are analyzed using an equivalent planar dielectric waveguide model.

摘要

我们报告了基于 GaAs 的单壁螺旋微管中强相干发射的实现,其中光子局域在一个超薄(约为 λ/25)区域内,该区域嵌入了自组织的 InGaAs 量子点。在 300 K 下测量的发射光谱具有一系列规则的尖锐光学模式,其 Q 因子最大值约为 2500,分离约为 7 meV。光子的三维限制是通过外延平滑的管表面以及通过单次光刻步骤实现的工程化表面几何形状来实现的。使用等效平面介电波导模型对实验结果进行了分析。

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