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基于与发光 Ru(II) 配合物共价功能化的 GaN 半导体的微传感器。

Microsensors based on GaN semiconductors covalently functionalized with luminescent Ru(II) complexes.

机构信息

Department of Organic Chemistry, Faculty of Chemistry, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, Spain.

出版信息

J Am Chem Soc. 2010 Feb 17;132(6):1746-7. doi: 10.1021/ja908848c.

DOI:10.1021/ja908848c
PMID:20102148
Abstract

Covalent tethering of a Ru(II) dye to gallium nitride surfaces has been accomplished as a key step in the development of innovative sensing devices in which the indicator support (semiconductor) plays the role of both support and excitation source. Luminescence emission decays and time-resolved emission spectra confirm the presence of the dye on the semiconductor surfaces, while X-ray photoelectron spectroscopy proves its covalent bonding. The O(2) sensitivity of the new device is comparable to those of other ruthenium-based sensor systems. This achievement paves the way to a new generation of integrable ultracompact microsensors that combine semiconductor emitter-probe assemblies.

摘要

将钌(II)染料共价键合到氮化镓表面已经完成,这是开发创新感应设备的关键步骤,其中指示剂支撑(半导体)同时起到支撑和激发源的作用。发光发射衰减和时间分辨发射光谱证实了染料存在于半导体表面,而 X 射线光电子能谱证明了其共价键合。新器件的 O(2)灵敏度可与其他基于钌的传感器系统相媲美。这一成就为新一代集成式超紧凑型微传感器铺平了道路,这些传感器结合了半导体发射器-探针组件。

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