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具有薄有源层(大于0.1微米用于光通信)的半导体激光器。

Semiconductor lasers with a thin active layer (>0.1 microm for optical communications.

作者信息

Chinone N, Nakashima H, Ikushima I, Ito R

出版信息

Appl Opt. 1978 Jan 15;17(2):311-5. doi: 10.1364/AO.17.000311.

DOI:10.1364/AO.17.000311
PMID:20174402
Abstract

Double heterostructure lasers with a thin active layer have been investigated. Device parameters have been optimized for using laser diodes as light sources in optical communication systems. Threshold current density takes a minimum value for an active layer thickness of around 800 A in the case of undoped active layers. Full width of beam divergence for active layer thicknesses smaller than 0.1 microm is smaller than 30 degrees , and the resultant coupling efficiency into an optical fiber of a numeric aperture as small as 0.05 is 50% on the average and is 80% at maximum in conjunction with a focusing lens. Other features of the thin active layer discussed are polarization and available output powers.

摘要

已对具有薄有源层的双异质结构激光器进行了研究。已针对将激光二极管用作光通信系统中的光源对器件参数进行了优化。对于未掺杂有源层的情况,阈值电流密度在有源层厚度约为800埃时取最小值。对于小于0.1微米的有源层厚度,光束发散的全宽小于30度,并且与数值孔径小至0.05的光纤的合成耦合效率平均为50%,与聚焦透镜配合时最大可达80%。所讨论的薄有源层的其他特性是偏振和可用输出功率。

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