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电子界面重构产生的平行电子-空穴双层电导率。

Parallel electron-hole bilayer conductivity from electronic interface reconstruction.

机构信息

Department of Earth and Environmental Sciences, University of Munich, D-80333 Munich, Germany.

出版信息

Phys Rev Lett. 2010 Apr 23;104(16):166804. doi: 10.1103/PhysRevLett.104.166804.

DOI:10.1103/PhysRevLett.104.166804
PMID:20482074
Abstract

The perovskite SrTiO3-LaAlO3 structure has advanced to a model system to investigate the rich electronic phenomena arising at polar oxide interfaces. Using first principles calculations and transport measurements we demonstrate that an additional SrTiO3 capping layer prevents atomic reconstruction at the LaAlO3 surface and triggers the electronic reconstruction at a significantly lower LaAlO3 film thickness than for the uncapped systems. Combined theoretical and experimental evidence (from magnetotransport and ultraviolet photoelectron spectroscopy) suggests two spatially separated sheets with electron and hole carriers, that are as close as 1 nm.

摘要

钙钛矿 SrTiO3-LaAlO3 结构已经发展成为一个模型体系,用于研究在极性氧化物界面上出现的丰富电子现象。我们使用第一性原理计算和输运测量表明,额外的 SrTiO3 覆盖层可以防止 LaAlO3 表面的原子重构,并在比未覆盖系统低得多的 LaAlO3 薄膜厚度下触发电子重构。理论和实验证据(来自磁输运和紫外光电子能谱)表明,存在两个具有电子和空穴载流子的空间分离的薄片,它们之间的距离接近 1nm。

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