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半导体微腔中的矢量极化激元孤子

Vectorial polariton solitons in semiconductor microcavities.

作者信息

Zhang W L, Yu S F

机构信息

School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 639798, Singapore.

出版信息

Opt Express. 2010 Sep 27;18(20):21219-24. doi: 10.1364/OE.18.021219.

Abstract

This paper presents numerical studies of vectorial polariton solitons in semiconductor microcavities. In the simulation, polarization degree of freedom of the polariton fields is taken into consideration. In the bistable regime, bright and/or dark solitons are found to bifurcate from the homogonous solutions of the two circular polarization modes. The combinations of solitons in the two polarization directions can be bright-dark, dark-bright, bright-bright, and dark-dark.

摘要

本文介绍了半导体微腔中矢量极化激元孤子的数值研究。在模拟中,考虑了极化激元场的偏振自由度。在双稳区域,发现亮孤子和/或暗孤子从两个圆偏振模式的均匀解中分岔出来。两个偏振方向上孤子的组合可以是亮-暗、暗-亮、亮-亮和暗-暗。

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