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单根 ZnO 纳米棒的正电阻温度系数。

Positive temperature coefficient of resistance of single ZnO nanorods.

机构信息

School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, People's Republic of China.

出版信息

Nanotechnology. 2011 Feb 11;22(6):065304. doi: 10.1088/0957-4484/22/6/065304. Epub 2011 Jan 7.

DOI:10.1088/0957-4484/22/6/065304
PMID:21212482
Abstract

ZnO nanorods were synthesized by a simple aqueous solution method. Crystal structures and morphology studies show that the ZnO nanorods are single crystalline with the growth direction aligned with the c axis of ZnO. An Au-ZnO nanorod-Au (metal-semiconductor-metal, MSM) device using the synthesized nanorod was fabricated. An electronic model with two back-to-back Schottky diodes in series with a nanorod was used to describe the electrical transport of the MSM device. A positive temperature coefficient of resistance is observed on a single ZnO nanorod from 383 to 473 K. A simple model has been proposed to explain such an abnormal behavior including the effect of the interface states and the adsorption-desorption of the water/oxygen molecules on the surface of the nanorod.

摘要

氧化锌纳米棒通过简单的水溶液法合成。晶体结构和形态研究表明,氧化锌纳米棒为单晶,其生长方向与 ZnO 的 c 轴一致。使用合成的纳米棒制造了一个金-氧化锌纳米棒-金(金属-半导体-金属,MSM)器件。采用两个背对背肖特基二极管串联一个纳米棒的电子模型来描述 MSM 器件的电输运。在 383 到 473 K 的范围内,单个氧化锌纳米棒表现出正的电阻温度系数。提出了一个简单的模型来解释这种异常行为,包括界面态的影响以及纳米棒表面上水/氧分子的吸附和解吸。

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Positive temperature coefficient of resistance of single ZnO nanorods.单根 ZnO 纳米棒的正电阻温度系数。
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