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锰氧化物中的各向异性磁电阻:实验与理论。

Anisotropic magnetoresistance in manganites: experiment and theory.

机构信息

Centro Atómico Bariloche, CNEA, CONICET, Bustillo 9500, (8400) San Carlos de Bariloche, Argentina.

出版信息

J Phys Condens Matter. 2010 Apr 14;22(14):146001. doi: 10.1088/0953-8984/22/14/146001. Epub 2010 Mar 17.

DOI:10.1088/0953-8984/22/14/146001
PMID:21389535
Abstract

We present measurements of the anisotropic magnetoresistance (AMR) of La(0.75)Sr(0.25)MnO(3) films deposited on (001) SrTiO(3) substrates, and a model that describes the experimental results. The model, based on the electronic structure of manganites plus the spin-orbit coupling, correctly accounts for the dependence of the AMR on the direction of the current to the crystalline axes. We measure an AMR of the order of 10(-3) for the current I parallel to the [100] axis of the crystal and vanishing AMR for I , in agreement with the model predictions. Further, we calculate the planar Hall effect and show its connection to AMR.

摘要

我们展示了 La(0.75)Sr(0.25)MnO(3) 薄膜在 (001) SrTiO(3) 衬底上的各向异性磁阻 (AMR) 的测量结果,以及一个描述实验结果的模型。该模型基于锰氧化物的电子结构和自旋轨道耦合,正确地解释了 AMR 对电流方向相对于晶体轴的依赖性。我们测量到电流 I 平行于晶体的[100]轴时的 AMR 约为 10(-3),而 I 时的 AMR 则为零,这与模型预测相符。此外,我们计算了平面霍尔效应,并展示了它与 AMR 的联系。

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