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锑化铟(111)衬底上银薄膜中的量子阱能带形成

Quantum well band formation in Ag films on InSb(111).

作者信息

Moras P, Carbone C

机构信息

Istituto di Struttura della Materia, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Trieste, Italy.

出版信息

J Phys Condens Matter. 2009 Sep 2;21(35):355502. doi: 10.1088/0953-8984/21/35/355502. Epub 2009 Aug 11.

DOI:10.1088/0953-8984/21/35/355502
PMID:21828637
Abstract

Room temperature deposition of Ag on InSb(111) is known to lead to three-dimensional clustering, without long-range crystalline order. We show by means of angle-resolved photoemission that 'two-step' growth in which the films are annealed to room temperature after low temperature deposition results in the formation of Ag films which are epitaxial, atomically flat, and display a quasi-discrete quantum well band structure. Core level analysis highlights different chemical interactions between the substrate and deposited materials for room temperature and 'two-step' Ag growth.

摘要

已知在室温下将银沉积在锑化铟(111)上会导致三维聚集,且没有长程晶体有序结构。我们通过角分辨光电子能谱表明,在低温沉积后将薄膜退火至室温的“两步”生长法会导致形成外延、原子级平整且呈现准离散量子阱能带结构的银薄膜。芯能级分析突出了室温下以及“两步”银生长过程中衬底与沉积材料之间不同的化学相互作用。

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