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基于AlGaIn/AsSb材料系统的具有片上功率控制功能的高度集成耦合腔光子晶体激光器。

Highly integrated coupled cavity photonic crystal laser with on-chip power control on the AlGaIn/AsSb material system.

作者信息

Müller M, Bauer A, Lehnhardt T, Forchel A

机构信息

Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany.

出版信息

Nanotechnology. 2008 Jul 2;19(26):265203. doi: 10.1088/0957-4484/19/26/265203. Epub 2008 May 19.

DOI:10.1088/0957-4484/19/26/265203
PMID:21828675
Abstract

We present a multi-segment photonic crystal coupled cavity laser device on GaSb with a microstructured internal photodiode. This monolithically integrated power monitor is added as a third segment to a coupled cavity laser and is separated from the active device by six rows of two-dimensional photonic crystals, acting as highly reflecting mirrors. There is no additional fabrication step needed to integrate this feature into the coupled cavity laser, resulting in a highly integrated laser device of only 800 µm length. The device with lasing wavelength around 1955 nm shows single mode emission over a tuning range of as large as 16 nm and exhibits output powers of up to 9 mW.

摘要

我们展示了一种基于GaSb的多段光子晶体耦合腔激光器件,其带有微结构化内部光电二极管。这种单片集成的功率监测器作为第三段被添加到耦合腔激光器中,并通过六排二维光子晶体与有源器件隔开,这些光子晶体起到高反射镜的作用。将此功能集成到耦合腔激光器中无需额外的制造步骤,从而得到了一种长度仅为800 µm的高度集成激光器件。该器件的激射波长约为1955 nm,在高达16 nm的调谐范围内呈现单模发射,输出功率高达9 mW。

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