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宽带太赫兹脉冲发射来自 ZnGeP2。

Broadband terahertz pulse emission from ZnGeP2.

机构信息

Department of Physics, West Virginia University, Morgantown, West Virginia 26506-6315, USA.

出版信息

Opt Lett. 2012 Mar 1;37(5):788-90. doi: 10.1364/OL.37.000788.

DOI:10.1364/OL.37.000788
PMID:22378394
Abstract

Optical rectification is demonstrated in (110)-cut ZnGeP(2) (ZGP) providing broadband terahertz (THz) generation. The source is compared to both GaP and GaAs over a wavelength range of 1150 nm to 1600 nm and peak-intensity range of 0.5 GW/cm(2) to 40 GW/cm(2). ZGP peak-to-peak field amplitude is larger than in the other materials due to either lower nonlinear absorption or larger second-order nonlinearity. This material is well suited for broadband THz generation across a wide range of infrared excitation wavelengths.

摘要

在(110)切向的 ZnGeP(2)(ZGP)中展示了光整流,从而实现了宽带太赫兹(THz)产生。将该光源与 GaP 和 GaAs 进行了比较,波长范围为 1150nm 至 1600nm,峰值强度范围为 0.5GW/cm(2) 至 40GW/cm(2)。由于较低的非线性吸收或较大的二阶非线性,ZGP 的峰值-峰值场幅度大于其他材料。这种材料非常适合在很宽的红外激发波长范围内产生宽带太赫兹。

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引用本文的文献

1
The symmetric and asymmetric thiophene-fused benzocarborane: structures and first hyperpolarizabilities.对称和非对称噻吩并苯并富勒烯:结构和第一超极化率。
J Mol Model. 2013 Sep;19(9):3741-7. doi: 10.1007/s00894-013-1890-0. Epub 2013 Jun 22.