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高通量密度泛函研究二元硅化物的稳定性、电子结构和热电性能。

High throughput density functional investigations of the stability, electronic structure and thermoelectric properties of binary silicides.

机构信息

ICAMS, Ruhr-Universität Bochum, Bochum, Germany.

出版信息

Phys Chem Chem Phys. 2012 Dec 21;14(47):16197-202. doi: 10.1039/c2cp41826f. Epub 2012 Sep 20.

DOI:10.1039/c2cp41826f
PMID:22996318
Abstract

The structural stabilities of binary Mg-X (X = Si, Ge, Sn) and 4d transition metal silicides Mo-Si and Ru-Si are investigated. The convex hulls of stable alloys are in overall good agreement with the known experimental phase diagrams. It is shown how the Si-rich Ru-Si structures have band gaps at the Fermi-level and how the Ru(2)Si(3) structure is stabilized compared to the corresponding Fe(2)Si(3) structure. We discuss the band structure of Ru(2)Si(3) and show how the anisotropic band masses lead to favorable calculated thermoelectric properties.

摘要

研究了二元 Mg-X（X=Si、Ge、Sn）和 4d 过渡金属硅化物 Mo-Si 和 Ru-Si 的结构稳定性。稳定合金的凸包总体上与已知的实验相图吻合良好。展示了富硅 Ru-Si 结构在费米能级处如何具有带隙，以及 Ru(2)Si(3)结构相对于相应的 Fe(2)Si(3)结构如何稳定。我们讨论了 Ru(2)Si(3)的能带结构，并展示了各向异性能带质量如何导致有利的计算热电性质。

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