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基于色散工程硫族化物波导中受激布里渊散射的宽带片上隔离器设计。

Design for broadband on-chip isolator using Stimulated Brillouin Scattering in dispersion-engineered chalcogenide waveguides.

作者信息

Poulton Christopher G, Pant Ravi, Byrnes Adam, Fan Shanhui, Steel M J, Eggleton Benjamin J

机构信息

Centre for Ultrahigh bandwidth Devices for Optical Systems (CUDOS), Australia.

出版信息

Opt Express. 2012 Sep 10;20(19):21235-46. doi: 10.1364/OE.20.021235.

DOI:10.1364/OE.20.021235
PMID:23037247
Abstract

We propose a scheme for on-chip isolation in chalcogenide (As₂S₃) rib waveguides, in which Stimulated Brillouin Scattering is used to induce non-reciprocal mode conversion within a multi-moded waveguide. The design exploits the idea that a chalcogenide rib buried in a silica matrix acts as waveguide for both light and sound, and can also be designed to be multi-moded for both optical and acoustic waves. The enhanced opto-acoustic coupling allows significant isolation (> 20 dB) within a chip-scale (cm-long) device (< 10 cm). We also show that the bandwidth of this device can be dramatically increased by tuning the dispersion of the waveguide to match the group velocity between optical modes: we find that 20 dB isolation can be extended over a bandwidth of 25 nm.

摘要

我们提出了一种用于硫族化物(As₂S₃)肋形波导片上隔离的方案,其中受激布里渊散射用于在多模波导内诱导非互易模式转换。该设计利用了这样一个理念:埋在二氧化硅基质中的硫族化物肋条对光和声都起到波导的作用,并且还可以设计成对光波和声波都是多模的。增强的光声耦合使得在芯片级(厘米长)的器件(<10厘米)内实现显著的隔离(>20分贝)。我们还表明,通过调整波导的色散以匹配光学模式之间的群速度,可以显著增加该器件的带宽:我们发现20分贝的隔离可以扩展到25纳米的带宽上。

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