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结合高非线性、品质因数和光学稳定性的非晶硅纳米线。

Amorphous silicon nanowires combining high nonlinearity, FOM and optical stability.

作者信息

Grillet C, Carletti L, Monat C, Grosse P, Ben Bakir B, Menezo S, Fedeli J M, Moss D J

机构信息

Institute of Photonics and Optical Sciences and CUDOS, School of Physics, University of Sydney, New South Wales 2006, Australia.

出版信息

Opt Express. 2012 Sep 24;20(20):22609-15. doi: 10.1364/OE.20.022609.

DOI:10.1364/OE.20.022609
PMID:23037410
Abstract

We demonstrate optically stable amorphous silicon nanowires with both high nonlinear figure of merit (FOM) of ~5 and high nonlinearity Re(γ) = 1200W(-1)m(-1). We observe no degradation in these parameters over the entire course of our experiments including systematic study under operation at 2 W coupled peak power (i.e. ~2GW/cm(2)) over timescales of at least an hour.

摘要

我们展示了具有光学稳定性的非晶硅纳米线,其具有约5的高非线性品质因数(FOM)和高非线性Re(γ)=1200W⁻¹m⁻¹。在我们的整个实验过程中,包括在2W耦合峰值功率(即约2GW/cm²)下至少运行一小时的系统研究中,我们观察到这些参数没有退化。

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