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碳纳米管内形成的薄单壁 BN 纳米管。

Thin single-wall BN-nanotubes formed inside carbon nanotubes.

机构信息

Department of Chemistry, Nagoya University, Nagoya, 464-8602, Japan.

出版信息

Sci Rep. 2013;3:1385. doi: 10.1038/srep01385.

Abstract

We report a high yield synthesis of single-wall boron nitride nanotubes (SWBNNTs) inside single-wall carbon nanotubes (SWCNTs), a nano-templated reaction, using ammonia borane complexes (ABC) as a precursor. Transmission electron microscope (TEM), high angle annular dark field (HAADF)-scanning TEM (STEM), electron energy loss spectra (EELS) and high resolution EELS mapping using aberration-corrected TEM system clearly show the formation of thin SWBNNTs inside SWCNTs. We have found that the yield of the SWBNNT formation is high and that the most of ABC molecules decompose and fuse to form the thin BNNTs at a temperature of 1,673 K having a narrow diameter distribution of 0.7 ± 0.1 nm. Optical absorption measurements suggest that the band gap of the thin SWBNNTs is about 6.0 eV, which provide the ideal insulator nanotubes with very small diameters.

摘要

我们报告了一种高产率的单壁氮化硼纳米管(SWBNNTs)在单壁碳纳米管(SWCNTs)内的合成方法,这是一种纳米模板反应,使用氨硼烷复合物(ABC)作为前体。透射电子显微镜(TEM)、高角度环形暗场(HAADF)-扫描 TEM(STEM)、电子能量损失谱(EELS)和使用像差校正 TEM 系统的高分辨率 EELS 映射清楚地显示了 SWCNTs 内薄 SWBNNTs 的形成。我们发现,SWBNNT 形成的产率很高,并且大多数 ABC 分子在 1673 K 的温度下分解并融合形成直径分布较窄的薄 BNNTs,直径为 0.7 ± 0.1 nm。光学吸收测量表明,薄 SWBNNTs 的带隙约为 6.0 eV,这为具有非常小直径的理想绝缘体纳米管提供了支持。

https://cdn.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/blobs/cf25/3587887/003884ac6299/srep01385-f1.jpg

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