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PbSe 量子点薄膜的热电性能。

Thermoelectric performance of PbSe quantum dot films.

机构信息

Department of Civil Engineering and Engineering Mechanics, Columbia University, New York, NY 10027, USA.

出版信息

Nanoscale. 2013 Aug 21;5(16):7290-6. doi: 10.1039/c3nr01875j.

DOI:10.1039/c3nr01875j
PMID:23817342
Abstract

The thermoelectric (TE) performance of films of colloidal lead selenide (PbSe) quantum dots (QDs) with metal-chalcogenide complex ligands is seen to change with QD size and temperature. Films of smaller QDs have higher Seebeck coefficient magnitudes, indicating stronger quantum confinement, and lower electrical and thermal conductivities. The thermoelectric figure of merit ZT is ∼0.5 at room temperature and increases with temperature to 1.0-1.37 at ∼400 K, where it is larger for smaller QD films. This is better than previous results for solution-prepared QD TE materials at these elevated temperatures.

摘要

胶体碲化铅(PbSe)量子点(QD)薄膜的热电(TE)性能随 QD 尺寸和温度而变化。较小 QD 的薄膜具有更高的塞贝克系数值,表明量子限制更强,以及更低的电导率和热导率。在室温下,热电品质因数 ZT 约为 0.5,并随温度升高至 400K 左右时增加至 1.0-1.37,其中较小 QD 薄膜的 ZT 值更大。这优于以前在这些高温下用溶液法制备的 QD TE 材料的结果。

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