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通讯:在邻位Si(100)上完全符合取向规定的O₂化学吸附

Communication: fully alignment-specified O2 chemisorption on vicinal Si(100).

作者信息

Kurahashi Mitsunori, Yamauchi Yasushi

机构信息

National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan.

出版信息

J Chem Phys. 2014 Jan 21;140(3):031102. doi: 10.1063/1.4862055.

DOI:10.1063/1.4862055
PMID:25669356
Abstract

A fully alignment-resolved O2 sticking experiment on a single domain Si(100)-(2×1) surface is presented. This provides the first experimental evidence that the reactivity of O2 depends on both the polar and azimuthal angles of the molecular axis relative to a surface. It has been found that, in case of side-on collision, an O2 molecule perpendicular to the dimer on Si(100) is about 40% more reactive than that parallel to the dimer. Comparison of the O2 sticking on flat and vicinal Si(100) surfaces indicates that barrierless dissociation channels exist at the double layer step.

摘要

本文展示了在单畴Si(100)-(2×1)表面上进行的一次完全解析取向的O₂吸附实验。这提供了首个实验证据,证明O₂的反应活性取决于分子轴相对于表面的极角和方位角。研究发现,在侧碰的情况下,垂直于Si(100)上二聚体的O₂分子的反应活性比平行于二聚体的O₂分子高约40%。对O₂在平整和近邻Si(100)表面上吸附情况的比较表明,在双层台阶处存在无障碍解离通道。

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