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Correction to tailoring the interface quality between HfO2 and GaAs via in situ ZnO passivation using atomic layer deposition.

作者信息

Byun Young-Chul, Choi Sungho, An Youngseo, McIntyre Paul C, Kim Hyoungsub

出版信息

ACS Appl Mater Interfaces. 2015 Apr 8;7(13):7445. doi: 10.1021/acsami.5b02372. Epub 2015 Mar 30.

DOI:10.1021/acsami.5b02372
PMID:25823007
Abstract
摘要

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Correction to tailoring the interface quality between HfO2 and GaAs via in situ ZnO passivation using atomic layer deposition.
ACS Appl Mater Interfaces. 2015 Apr 8;7(13):7445. doi: 10.1021/acsami.5b02372. Epub 2015 Mar 30.
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