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掺杂剂负载量对(氮、氧)共掺杂石墨烯光化学和电化学性质的影响

Influence of Dopant Loading on the Photo- and Electrochemical Properties of (N, O)-Co-doped Graphene.

作者信息

Baldoví Hermenegildo G, Albarracín Ferran, Álvaro Mercedes, Ferrer Belén, García Hermenegildo

机构信息

Departamento de Química, Universidad Politécnica de Valencia, Camino de Vera s/n, 46022 Valencia. (Spain).

Instituto Universitario de Tecnologia Química, CSIC-UPV, Avd. de los Naranjos, 46022, Valencia (Spain).

出版信息

Chemphyschem. 2015 Jul 20;16(10):2094-8. doi: 10.1002/cphc.201500306. Epub 2015 May 12.

Abstract

A series of (N, O)-co-doped graphenes with different N and O loadings are prepared by the pyrolysis of natural chitosan. When the percentage of dopant increases, the conduction-band potential and charge-separation quantum yield increase, whereas the charge-separation lifetime decreases.

摘要

通过天然壳聚糖的热解制备了一系列具有不同氮和氧负载量的(氮,氧)共掺杂石墨烯。当掺杂剂百分比增加时,导带电位和电荷分离量子产率增加,而电荷分离寿命降低。

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