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基于掺杂砷化镓的槽型表面等离子体波导用于太赫兹深亚波长应用。

Slot plasmonic waveguide based on doped-GaAs for terahertz deep-subwavelength applications.

作者信息

Amarloo Hadi, Safavi-Naeini Safieddin

出版信息

J Opt Soc Am A Opt Image Sci Vis. 2015 Nov 1;32(11):2189-94. doi: 10.1364/JOSAA.32.002189.

DOI:10.1364/JOSAA.32.002189
PMID:26560933
Abstract

A new plasmonic waveguide for deep-subwavelength field localization at the terahertz (THz) range of frequency is proposed. GaAs with optimum doping level is used as the plasmonic material. The waveguide structure is a narrow slot in a thin GaAs film on top of the quartz substrate. The waveguide characteristics are analyzed, and its dimensions are optimized to minimize the losses. It is shown that the mode size of the proposed waveguide is less than λ/16 by λ/16. The proposed plasmonic waveguide can be a platform for numerous THz plasmonic-based integrated devices, such as integrated sensors and imagers.

摘要

提出了一种用于太赫兹(THz)频段深亚波长场局域化的新型等离子体波导。具有最佳掺杂水平的砷化镓用作等离子体材料。波导结构是石英衬底顶部薄砷化镓薄膜中的窄槽。分析了波导特性,并对其尺寸进行了优化以最小化损耗。结果表明,所提出波导的模式尺寸比λ/16小λ/16。所提出的等离子体波导可成为众多基于太赫兹等离子体的集成器件的平台,如集成传感器和成像仪。

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引用本文的文献

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