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使用电荷存储交联核壳纳米颗粒的非易失性晶体管存储器件。

Non-volatile transistor memory devices using charge storage cross-linked core-shell nanoparticles.

作者信息

Lo Chen-Tsyr, Watanabe Yu, Oya Hiroshi, Nakabayashi Kazuhiro, Mori Hideharu, Chen Wen-Chang

机构信息

Department of Chemical Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan.

出版信息

Chem Commun (Camb). 2016 Jun 7;52(45):7269-72. doi: 10.1039/c6cc02750d. Epub 2016 May 16.

DOI:10.1039/c6cc02750d
PMID:27180874
Abstract

Solution processable cross-linked core-shell poly[poly(ethylene glycol)methylether methacrylate]-block-poly(2,5-dibromo-3-vinylthiophene) (poly(PEGMA)m-b-poly(DB3VT)n) nanoparticles are firstly explored as charge storage materials for transistor-type memory devices owing to their efficient and controllable ability in electric charge transfer and trapping.

摘要

溶液可加工的交联核壳聚[聚(乙二醇)甲基醚甲基丙烯酸酯]-嵌段-聚(2,5-二溴-3-乙烯基噻吩)(聚(PEGMA)m-嵌段-聚(DB3VT)n)纳米颗粒由于其在电荷转移和俘获方面的高效且可控的能力,首次被探索用作晶体管型存储器件的电荷存储材料。

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