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合成的天然范德华异质结构纳米片。

Synthetic Nanosheets of Natural van der Waals Heterostructures.

机构信息

New Chemistry Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research (JNCASR), Jakkur P.O., Bangalore, India.

出版信息

Angew Chem Int Ed Engl. 2017 Nov 13;56(46):14561-14566. doi: 10.1002/anie.201708293. Epub 2017 Oct 6.

DOI:10.1002/anie.201708293
PMID:28892264
Abstract

Creation of new van der Waals heterostructures by stacking different two dimensional (2D) crystals on top of each other in a chosen sequence is the next challenge after the discovery of graphene, mono/few layer of h-BN, and transition-metal dichalcogenides. However, chemical syntheses of van der Waals heterostructures are rarer than the physical preparation techniques. Herein, we demonstrate the kinetic stabilization of 2D ultrathin heterostructure (ca. 1.13-2.35 nm thick) nanosheets of layered intergrowth SnBi Te , SnBi Te , and SnBi Te , which belong to the Sn Bi Te homologous series, by a simple solution based synthesis. Few-layer nanosheets exhibit ultralow lattice thermal conductivity (κ ) of 0.3-0.5 W m  K and semiconducting electron-transport properties with high carrier mobility.

摘要

在发现石墨烯、单层/少层 h-BN 和过渡金属二卤化物之后,通过在选定的序列中将不同的二维 (2D) 晶体堆叠在一起,来创建新的范德华异质结构,这是下一个挑战。然而,范德华异质结构的化学合成比物理制备技术更为少见。在此,我们通过简单的基于溶液的合成方法,证明了层状共生 SnBiTe、SnBiTe 和 SnBiTe 的二维超薄异质结构(约 1.13-2.35nm 厚)纳米片的动力学稳定性,它们属于 SnBiTe 同系物。少层纳米片表现出超低晶格热导率 (κ) 为 0.3-0.5 W m K 和具有高载流子迁移率的半导体电子输运性能。

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