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在硅衬底上使用20微米长有源区的双镜膜分布反射器激光器。

Twin-mirror membrane distributed-reflector lasers using 20-μm-long active region on Si substrates.

作者信息

Kanno Erina, Takeda Koji, Fujii Takuro, Hasebe Koichi, Nishi Hidetaka, Yamamoto Tsuyoshi, Kakitsuka Takaaki, Matsuo Shinji

出版信息

Opt Express. 2018 Jan 22;26(2):1268-1277. doi: 10.1364/OE.26.001268.

DOI:10.1364/OE.26.001268
PMID:29402002
Abstract

We demonstrate 20-μm-long twin-mirror membrane distributed-reflector (DR) lasers for chip-to-chip optical interconnects. The lasers employ distributed Bragg reflectors (DBRs) at both ends of a 20-μm-long λ/4-phase shifted distributed feedback (DFB) section. We achieve single-mode lasing in a λ/4-phase shifted DFB mode at room temperature with a threshold current of 0.39 mA. The lasing wavelength remains stable while the injected current is varied, and it is determined by the λ/4 phase-shifted DFB. The modulation current efficiency is 11.4 GHz/mA, which is measured by using relative intensity noise spectra. We also demonstrate the direct modulation of the DR lasers at a bit rate of 25.8 Gbit/s with an energy cost of 163 fJ/bit.

摘要

我们展示了用于芯片间光互连的20微米长的双镜膜分布反射(DR)激光器。这些激光器在一个20微米长的λ/4相移分布反馈(DFB)段的两端采用了分布布拉格反射器(DBR)。我们在室温下以0.39毫安的阈值电流实现了λ/4相移DFB模式下的单模激射。当注入电流变化时,激射波长保持稳定,并且它由λ/4相移DFB决定。调制电流效率为11.4吉赫兹/毫安,这是通过使用相对强度噪声谱测量得到的。我们还展示了DR激光器在25.8吉比特/秒的比特率下的直接调制,能量消耗为163飞焦/比特。

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