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采用氮化铟镓定向耦合器制作的片上多组分系统。

On-chip multicomponent system made with an InGaN directional coupler.

作者信息

Zhang Fenghua, Shi Zheng, Gao Xumin, Qin Chuan, Zhang Shuai, Jiang Yan, Wu Fan, Wang Yongjin

出版信息

Opt Lett. 2018 Apr 15;43(8):1874-1877. doi: 10.1364/OL.43.001874.

DOI:10.1364/OL.43.001874
PMID:29652387
Abstract

An on-chip multicomponent system is implemented on a III-nitride-on-silicon platform by integrating a transmitter, InGaN waveguide, InGaN directional coupler, and receivers onto a single chip. The transmitter and the receiver share an identical InGaN/GaN multiple-quantum-well (MQW) diode structure and are produced by using the same wafer-level process flow. The receiver sensitively responds to the short-wavelength half of the emission spectrum of the transmitter, thus realizing the multicomponent system with the capability for inplane light communication. A SiO isolation layer is employed to decrease the p-n junction capacitance, thus improving the modulation rate without modifying the MQW structure. The wire-bonded monolithic multicomponent system experimentally demonstrates inplane data transmission at 80 Mbps and spatial light communication at 100 Mbps, paving the way for diverse applications from on-chip power monitoring to inplane light communication in the visible light spectrum.

摘要

通过将发射器、氮化铟镓波导、氮化铟镓定向耦合器和接收器集成到单个芯片上,在硅基氮化镓平台上实现了片上多组件系统。发射器和接收器采用相同的氮化铟镓/氮化镓多量子阱(MQW)二极管结构,并通过相同的晶圆级工艺流程制造。接收器对发射器发射光谱的短波长部分敏感响应,从而实现了具有平面内光通信能力的多组件系统。采用SiO隔离层来降低p-n结电容,从而在不改变MQW结构的情况下提高调制速率。通过引线键合的单片多组件系统在实验中展示了80Mbps的平面内数据传输和100Mbps的空间光通信,为从片上功率监测到可见光谱内平面光通信的各种应用铺平了道路。

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