Suppr超能文献

一种具有两个锗顶点的阴离子杂硅化合物。

An anionic heterosiliconoid with two germanium vertices.

作者信息

Klemmer Lukas, Huch Volker, Jana Anukul, Scheschkewitz David

机构信息

Krupp-Chair of General and Inorganic Chemistry, Saarland University, 66123 Saarbrücken, Germany.

出版信息

Chem Commun (Camb). 2019 Aug 20;55(68):10100-10103. doi: 10.1039/c9cc04576g.

Abstract

The two-electron reduction of the dismutational isomer of a 1,4-digermatetrasilabenzene cleaves one of the aryl groups in ligato-position and thus yields an unsaturated anionic Ge2Si4 cluster (digermatetrasila-benzpolarenide) with the negative charge at a Ge center. The regioselective positioning of the germanium centers in one nudo- and one ligato-position provides insight into the rearrangement of the Si4E2-scaffold of the dismutational isomers of hexatetrelbenzenes under reductive conditions with concomitant aryl group cleavage (E = Si and Ge).

摘要

1,4-二锗四硅苯歧化异构体的双电子还原会切断一个芳基的连接位置,从而生成一个不饱和阴离子型Ge2Si4簇(二锗四硅苯聚烯化物),负电荷位于一个Ge中心。锗中心在一个裸位和一个连接位的区域选择性定位,为六碲苯歧化异构体的Si4E2骨架在还原条件下伴随芳基切断(E = Si和Ge)的重排提供了见解。

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