勘误：更正：通过有机半导体中n型掺杂的光激活突破热力学极限。
Erratum: Corrigendum: Beating the thermodynamic limit with photo-activation of n-doping in organic semiconductors.
作者信息
Lin Xin, Wegner Berthold, Lee Kyung Min, Fusella Michael A, Zhang Fengyu, Moudgil Karttikay, Rand Barry P, Barlow Stephen, Marder Seth R, Koch Norbert, Kahn Antoine
出版信息
Nat Mater. 2018 Feb;17(2):204. doi: 10.1038/nmat5067.
DOI:10.1038/nmat5067
PMID:31745271
Abstract
Nature Materials 16, 1209-1215 (2017); published online 13 November 2017; corrected after print 15 December 2017. In the version of this Article originally published, the source of 'ZADN' stated in the Methods should have read 'obtained as free research samples from Guangzhou ChinaRay OptoelectronicMaterials' instead of 'China-Ray'.
摘要
《自然·材料》16卷，1209 - 1215页（2017年）；于2017年11月13日在线发表；2017年12月15日印刷后修正。在本文最初发表的版本中，方法部分所述的“ZADN”来源应改为“从广州华光光电材料公司获得的免费研究样品”，而非“华光”。
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