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太赫兹辐射在BaGaSe晶体中产生对激发极化和晶体取向的依赖性。

Dependence on excitation polarization and crystal orientation for terahertz radiation generation in a BaGaSe crystal.

作者信息

Carnio B N, Hopmann E, Zawilski K T, Schunemann P G, Elezzabi A Y

出版信息

Opt Express. 2020 May 11;28(10):15016-15022. doi: 10.1364/OE.393410.

DOI:10.1364/OE.393410
PMID:32403533
Abstract

Optical rectification is experimentally investigated in a biaxial BaGaSe crystal by considering various combinations of near-infrared excitation polarizations and crystal orientations. The highest terahertz radiation is produced along the Z crystallo-physical direction of the BaGaSe crystal. Despite the optical complexity of the BaGaSe crystal in the terahertz spectral regime, this systematic experimental investigation determines the optimal excitation polarization and crystal orientation for the optical rectification process.

摘要

通过考虑近红外激发偏振和晶体取向的各种组合,在双轴BaGaSe晶体中对光整流进行了实验研究。沿BaGaSe晶体的Z结晶物理方向产生了最高的太赫兹辐射。尽管BaGaSe晶体在太赫兹光谱范围内光学性质复杂,但这项系统的实验研究确定了光整流过程的最佳激发偏振和晶体取向。

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