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采用电光聚合物的高效硅基和侧面包层波导调制器

Efficient silicon and side-cladding waveguide modulator with electro-optic polymer.

作者信息

Mao Jiawei, Sato Hiromu, Bannaron Alisa, Hong Jianxun, Lu Guo-Wei, Yokoyama Shiyoshi

出版信息

Opt Express. 2022 Jan 17;30(2):1885-1895. doi: 10.1364/OE.447616.

DOI:10.1364/OE.447616
PMID:35209341
Abstract

Efficient electro-optic (EO) modulation can be generated in the hybrid silicon modulator with EO polymer in the form of an in-plane coplanar waveguide and electrode structure. Strong confinement of the optical field in the hybrid structure is critical to performing efficient electric poling and modulation of the EO polymer. The waveguide consists of silica-based side claddings and an EO core for increasing the integral of the optical field and the overlap interaction between the optical field and the modulated electric field within the EO polymer. We discuss in detail the volume resistivity dependence of the efficiency of electric poling and modulation for various side-cladding materials. In a Mach-Zehnder interferometer modulator, the measured half-wave-voltage length product (VL) is 1.9 V·cm at an optical communication wavelength of 1,550 nm under the TE optical mode operation. The high-speed signaling of the device is demonstrated by generating on-off-keying transmission at signal rates up to 52 Gbit/s with a Q factor of 6.1 at a drive voltage of 2.0 V.

摘要

在具有平面共面波导和电极结构形式的含电光聚合物的混合硅调制器中,可以产生高效的电光(EO)调制。混合结构中光场的强限制对于对电光聚合物进行有效的电极化和调制至关重要。该波导由基于二氧化硅的侧面包层和一个电光核心组成,用于增加光场的积分以及光场与电光聚合物内调制电场之间的重叠相互作用。我们详细讨论了各种侧面包层材料的电极化和调制效率对体积电阻率的依赖性。在马赫-曾德尔干涉仪调制器中,在TE光模式操作下,在1550 nm的光通信波长处测得的半波电压长度积(VL)为1.9 V·cm。通过在2.0 V的驱动电压下以高达52 Gbit/s的信号速率生成开关键控传输,并具有6.1的Q因子,证明了该器件的高速信号传输能力。

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