• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Ultraflat hexagonal boron nitride for high-κ dielectric integration.

作者信息

Ko Hayoung, Lee Seungjin, Kim Ki Kang

机构信息

Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon, Republic of Korea.

出版信息

Nat Mater. 2024 Nov;23(11):1461-1462. doi: 10.1038/s41563-024-02013-9.

DOI:10.1038/s41563-024-02013-9
PMID:39472750
Abstract
摘要

相似文献

1
Ultraflat hexagonal boron nitride for high-κ dielectric integration.用于高κ电介质集成的超扁平六方氮化硼。
Nat Mater. 2024 Nov;23(11):1461-1462. doi: 10.1038/s41563-024-02013-9.
2
Ultraflat single-crystal hexagonal boron nitride for wafer-scale integration of a 2D-compatible high-κ metal gate.用于二维兼容高κ金属栅极晶圆级集成的超平单晶六方氮化硼。
Nat Mater. 2024 Nov;23(11):1495-1501. doi: 10.1038/s41563-024-01968-z. Epub 2024 Aug 12.
3
Temperature Effects on the Dielectric Properties and Breakdown Performance of h-BN/Epoxy Composites.温度对h-BN/环氧树脂复合材料介电性能和击穿性能的影响
Materials (Basel). 2019 Dec 9;12(24):4112. doi: 10.3390/ma12244112.
4
Hyperbolic Phonon Polaritons in Suspended Hexagonal Boron Nitride.悬空六方氮化硼中的双曲声子极化激元。
Nano Lett. 2019 Feb 13;19(2):1009-1014. doi: 10.1021/acs.nanolett.8b04242. Epub 2019 Jan 2.
5
2D-3D integration of hexagonal boron nitride and a high-κ dielectric for ultrafast graphene-based electro-absorption modulators.用于超快石墨烯基电吸收调制器的六方氮化硼与高κ电介质的2D-3D集成
Nat Commun. 2021 Feb 16;12(1):1070. doi: 10.1038/s41467-021-20926-w.
6
Wafer-Scale and Wrinkle-Free Epitaxial Growth of Single-Orientated Multilayer Hexagonal Boron Nitride on Sapphire.晶圆级和无皱折的蓝宝石上各向异性多层六方氮化硼的外延生长。
Nano Lett. 2016 May 11;16(5):3360-6. doi: 10.1021/acs.nanolett.6b01051. Epub 2016 Apr 28.
7
Dielectric Engineering of a Boron Nitride/Hafnium Oxide Heterostructure for High-Performance 2D Field Effect Transistors.氮化硼/氧化铪异质结构的介电工程用于高性能二维场效应晶体管。
Adv Mater. 2016 Mar 9;28(10):2062-9. doi: 10.1002/adma.201505205. Epub 2016 Jan 13.
8
Continuous growth of hexagonal graphene and boron nitride in-plane heterostructures by atmospheric pressure chemical vapor deposition.常压化学气相沉积法连续生长六方石墨烯和氮化硼面内异质结。
ACS Nano. 2013 Nov 26;7(11):10129-38. doi: 10.1021/nn404331f. Epub 2013 Nov 13.
9
Ultralow-dielectric-constant amorphous boron nitride.超低介电常数非晶态氮化硼。
Nature. 2020 Jun;582(7813):511-514. doi: 10.1038/s41586-020-2375-9. Epub 2020 Jun 24.
10
Ultrathin high-temperature oxidation-resistant coatings of hexagonal boron nitride.六方氮化硼的超薄高温抗氧化涂层。
Nat Commun. 2013;4:2541. doi: 10.1038/ncomms3541.

本文引用的文献

1
Formation, chemical evolution and solidification of the dense liquid phase of calcium (bi)carbonate.碳酸氢钙（双碳酸氢钙）致密液相的形成、化学演化及固化
Nat Mater. 2025 Jan;24(1):125-132. doi: 10.1038/s41563-024-02025-5. Epub 2024 Oct 24.
2
Single-crystal, large-area, fold-free monolayer graphene.单晶、大面积、无褶皱的单层石墨烯。
Nature. 2021 Aug;596(7873):519-524. doi: 10.1038/s41586-021-03753-3. Epub 2021 Aug 25.
3
Promises and prospects of two-dimensional transistors.二维晶体管的前景与展望。
Nature. 2021 Mar;591(7848):43-53. doi: 10.1038/s41586-021-03339-z. Epub 2021 Mar 3.
4
Boron nitride substrates for high-quality graphene electronics.氮化硼衬底用于高质量石墨烯电子学。
Nat Nanotechnol. 2010 Oct;5(10):722-6. doi: 10.1038/nnano.2010.172. Epub 2010 Aug 22.