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脉冲电子束辐照下平行板电离室中的离子损失。

Ion losses in a plane-parallel ionisation chamber irradiated with a pulsed electron beam.

作者信息

Geiger K W, Feist H, Böhm J

出版信息

Phys Med Biol. 1980 Jul;25(4):677-82. doi: 10.1088/0031-9155/25/4/006.

DOI:10.1088/0031-9155/25/4/006
PMID:7454757
Abstract

Saturation curves for a plane-parallel ionisation chamber have been studied in a pulsed electron beam of 5.2 MeV initial energy as a function of chamber voltage, chamber depth and charge density liberated per pulse. It is shown that, if ion losses by diffusion and by initial recombination are appropriately considered, the remaining ion losses by volume recombination can be described by Boag's theory. The constant mu in this theory has been determined to be (2.7 +/- 0.1) x 10(10) V m C-1. This value is consistent with data on charge collection characteristics obtained using the same ionisation chamber exposed to continuous radiation from beta-sources.

摘要

研究了平面平行电离室在初始能量为5.2 MeV的脉冲电子束中的饱和曲线,该曲线是电离室电压、电离室深度和每脉冲释放的电荷密度的函数。结果表明,如果适当考虑扩散和初始复合引起的离子损失,那么体积复合引起的剩余离子损失可以用博阿格理论来描述。该理论中的常数μ已确定为(2.7±0.1)×10^10 V m C^-1。这个值与使用同一电离室暴露于β源连续辐射时获得的电荷收集特性数据一致。

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