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Theory of the impurity-doping effect on electronic states in a quantum well of arbitrary depth of a semiconductor.

作者信息

Takeshima M

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1986 Jul 15;34(2):1041-1049. doi: 10.1103/physrevb.34.1041.

DOI:10.1103/physrevb.34.1041
PMID:9939719
Abstract
摘要

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Theory of the impurity-doping effect on electronic states in a quantum well of arbitrary depth of a semiconductor.半导体任意深度量子阱中杂质掺杂对电子态影响的理论
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