• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利:CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法,用中文像聊天一样搜索,搜遍4000万医学文献。AI智能推荐,让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版,准确专业,支持PDF/Word/PPT等文件格式,支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述,25分钟生成高质量综述,智能提取关键信息,辅助科研写作。

立即免费体验

Simple analytic model for heterojunction band offsets.

作者信息

Jaros M

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1988 Apr 15;37(12):7112-7114. doi: 10.1103/physrevb.37.7112.

DOI:10.1103/physrevb.37.7112
PMID:9943989
Abstract
摘要

相似文献

1
Simple analytic model for heterojunction band offsets.异质结带隙偏移的简单解析模型。
Phys Rev B Condens Matter. 1988 Apr 15;37(12):7112-7114. doi: 10.1103/physrevb.37.7112.
2
Theory of semiconductor heterojunction valence-band offsets: From supercell band-structure calculations toward a simple model.半导体异质结价带偏移理论:从超胞能带结构计算到一个简单模型
Phys Rev Lett. 1988 Oct 10;61(15):1764-1767. doi: 10.1103/PhysRevLett.61.1764.
3
Interface-bond-polarity model for semiconductor heterojunction band offsets.半导体异质结带隙偏移的界面键极性模型。
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Feb 15;41(5):2832-2848. doi: 10.1103/physrevb.41.2832.
4
Investigation of band offsets of interface BiOCl:Bi2WO6: a first-principles study.界面 BiOCl:Bi2WO6 的能带偏移研究:基于第一性原理的研究。
Phys Chem Chem Phys. 2012 Feb 21;14(7):2450-4. doi: 10.1039/c2cp23186g. Epub 2012 Jan 16.
5
THz-excitation spectroscopy technique for band-offset determination.用于能带偏移量测定的太赫兹激发光谱技术。
Opt Express. 2018 Dec 24;26(26):33807-33817. doi: 10.1364/OE.26.033807.
6
Heterojunction band offsets and the interface dielectric function.异质结带隙偏移与界面介电函数
Phys Rev B Condens Matter. 1987 Oct 15;36(11):5920-5924. doi: 10.1103/physrevb.36.5920.
7
Self-consistent dipole theory of heterojunction band offsets.
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Feb 15;41(5):2813-2831. doi: 10.1103/physrevb.41.2813.
8
Modification of heterojunction band offsets by thin layers at interfaces: Role of the interface dipole.界面处薄层对异质结带隙偏移的调制:界面偶极子的作用。
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Feb 15;41(5):2976-2981. doi: 10.1103/physrevb.41.2976.
9
Heterojunction band offsets for polar interfaces: From a thin to a thick covalent intralayer.极性界面的异质结带隙偏移:从薄到厚的共价内(分)层
Phys Rev B Condens Matter. 1992 Oct 15;46(15):9641-9647. doi: 10.1103/physrevb.46.9641.
10
New method to study band offsets applied to strained Si/Si1-xGex(100) heterojunction interfaces.用于研究带隙偏移的新方法应用于应变硅/硅锗(100)异质结界面。
Phys Rev B Condens Matter. 1987 Nov 15;36(14):7744-7747. doi: 10.1103/physrevb.36.7744.

引用本文的文献

1
Investigation of carrier confinement in direct bandgap GeSn/SiGeSn 2D and 0D heterostructures.直接带隙GeSn/SiGeSn二维和零维异质结构中载流子限制的研究。
Sci Rep. 2018 Oct 22;8(1):15557. doi: 10.1038/s41598-018-33820-1.
2
Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate.用于在硅衬底上实现中红外直接带隙发射的应变工程锗锡/锗硅锡量子点设计
Nanoscale Res Lett. 2018 Jun 7;13(1):172. doi: 10.1186/s11671-018-2587-1.
3
Morphology, Structure, and Optical Properties of Semiconductor Films with GeSiSn Nanoislands and Strained Layers.
具有GeSiSn纳米岛和应变层的半导体薄膜的形貌、结构和光学性质
Nanoscale Res Lett. 2018 Jan 19;13(1):29. doi: 10.1186/s11671-017-2429-6.