• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Interdiffusion process in lattice-matched InxGa1-xAsyP1-y/InP and GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells.

作者信息

Mukai K, Sugawara M, Yamazaki S

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1994 Jul 15;50(4):2273-2282. doi: 10.1103/physrevb.50.2273.

DOI:10.1103/physrevb.50.2273
PMID:9976444
Abstract
摘要

相似文献

1
Interdiffusion process in lattice-matched InxGa1-xAsyP1-y/InP and GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells.晶格匹配的InxGa1-xAsyP1-y/InP和GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的互扩散过程
Phys Rev B Condens Matter. 1994 Jul 15;50(4):2273-2282. doi: 10.1103/physrevb.50.2273.
2
Effect of a magnetic field on the photoluminescence from InxGa1-xAs/GaAs and GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells.磁场对InxGa1-xAs/GaAs和GaAs/AlxGa1-xAs量子阱光致发光的影响。
Phys Rev B Condens Matter. 1991 Feb 15;43(5):4244-4248. doi: 10.1103/physrevb.43.4244.
3
Effect of interdiffusion on the subbands in an AlxGa1-xAs/GaAs single-quantum-well structure.互扩散对AlxGa1-xAs/GaAs单量子阱结构中子带的影响。
Phys Rev B Condens Matter. 1992 Dec 15;46(23):15181-15192. doi: 10.1103/physrevb.46.15181.
4
Binding energies and envelope functions of light-hole excitons in GaAs/InxGa1-xAs/GaAs strained quantum wells.GaAs/InxGa1-xAs/GaAs应变量子阱中轻空穴激子的束缚能和包络函数
Phys Rev B Condens Matter. 1996 Oct 15;54(15):10312-10315. doi: 10.1103/physrevb.54.10312.
5
Direct coupling of heavy-hole free excitons in InxGa1-xAs/GaAs quantum wells with free excitons in the GaAs barrier.InxGa1-xAs/GaAs量子阱中的重空穴自由激子与GaAs势垒中的自由激子的直接耦合。
Phys Rev B Condens Matter. 1991 Jan 15;43(2):1871-1874. doi: 10.1103/physrevb.43.1871.
6
Excitonic lifetimes in thin InxGa1-xAs/InP quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter. 1989 Mar 15;39(9):6257-6259. doi: 10.1103/physrevb.39.6257.
7
Excitonic transitions in strained-layer InxGa1-xAs/InP quantum wells.应变层InxGa1-xAs/InP量子阱中的激子跃迁。
Phys Rev B Condens Matter. 1989 Mar 15;39(8):5531-5534. doi: 10.1103/physrevb.39.5531.
8
Erratum: Excitonic transitions in strained-layer InxGa1-xAs/InP quantum wells.勘误：应变层InxGa1-xAs/InP量子阱中的激子跃迁。
Phys Rev B Condens Matter. 1989 Jul 15;40(2):1329. doi: 10.1103/physrevb.40.1329.3.
9
Carrier-carrier scattering: An experimental comparison of bulk GaAs and GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells.载流子-载流子散射：体相砷化镓与砷化镓/铝镓砷量子阱的实验比较。
Phys Rev B Condens Matter. 1993 Dec 15;48(24):18336-18339. doi: 10.1103/physrevb.48.18336.
10
InP-InGaAs core-multi-shell nanowire quantum wells with tunable emission in the 1.3-1.55 μm wavelength range.具有可调发射波长在 1.3-1.55μm 范围内的 InP-InGaAs 核-多壳纳米线量子阱。
Nanoscale. 2017 Sep 21;9(36):13554-13562. doi: 10.1039/c7nr04598k.