• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Electronic structure of Si(111)-B( sqrt 3 x sqrt 3 )R30 degrees studied by Si 2p and B 1s core-level photoelectron spectroscopy.

作者信息

McLean AB, Terminello LJ, Himpsel FJ

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1990 Apr 15;41(11):7694-7700. doi: 10.1103/physrevb.41.7694.

DOI:10.1103/physrevb.41.7694
PMID:9993065
Abstract
摘要

相似文献

1
Electronic structure of Si(111)-B( sqrt 3 x sqrt 3 )R30 degrees studied by Si 2p and B 1s core-level photoelectron spectroscopy.
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Apr 15;41(11):7694-7700. doi: 10.1103/physrevb.41.7694.
2
Picosecond photoelectron spectroscopy of excited states at Si(111) sqrt 3 x sqrt 3 R30 degrees-B, Si(111)7 x 7, Si(100)2 x 1, and laser-annealed Si(111)1 x 1 surfaces.Si(111)√3×√3R30°-B、Si(111)7×7、Si(100)2×1以及激光退火后的Si(111)1×1表面激发态的皮秒光电子能谱。
Phys Rev B Condens Matter. 1993 Jan 15;47(4):2048-2064. doi: 10.1103/physrevb.47.2048.
3
Site-specific fragmentation caused by core-level photoionization in F(3)SiCH(2)CH(2)Si(CH(3))(3) vapor: comparison between Si:1s and 2p photoionizations by means of photoelectron-photoion-photoion triple-coincidence spectroscopy.F(3)SiCH(2)CH(2)Si(CH(3))(3) 蒸汽中由芯能级光电离引起的位点特异性碎片化：通过光电子-光离子-光离子三重符合光谱法对 Si:1s 和 2p 光电离的比较
J Chem Phys. 2008 Nov 28;129(20):204309. doi: 10.1063/1.3010885.
4
Adsorbed states of NH3 and C6H6 on the Si(111)( sqrt 3 x sqrt 3 )R30 degrees-B surface: Thermal-desorption and electron-energy-loss-spectroscopy studies.NH₃和C₆H₆在Si(111)(√3×√3)R30°-B表面的吸附态：热脱附和电子能量损失谱研究。
Phys Rev B Condens Matter. 1994 Dec 15;50(23):17440-17449. doi: 10.1103/physrevb.50.17440.
5
Electrical conduction in the Si(111):B-( sqrt 3 x sqrt 3 )R30 degrees/a-Si interface reconstruction.硅（111）：硼 - （√3×√3）R30°/非晶硅界面重构中的导电情况。
Phys Rev B Condens Matter. 1991 Jun 15;43(18):14711-14714. doi: 10.1103/physrevb.43.14711.
6
Structure determination of the Si(111):B( sqrt 3 x sqrt 3)R30 degrees surface: Subsurface substitutional doping.硅（111）：硼（√3×√3）R30°表面的结构测定：亚表面替代掺杂。
Phys Rev Lett. 1989 Sep 18;63(12):1253-1256. doi: 10.1103/PhysRevLett.63.1253.
7
Atomic structure of Si(111) ( sqrt 3-bar x sqrt 3-bar)R30 degrees-B by dynamical low-energy electron diffraction.
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Feb 15;41(5):3276-3279. doi: 10.1103/physrevb.41.3276.
8
Atomic displacements of Si in the Si(111)-( sqrt 3 x sqrt 3) R30 degrees-Ag surface studied by high-energy ion channeling.通过高能离子沟道效应研究Si(111)-(√3×√3)R30°-Ag表面中Si的原子位移。
Phys Rev B Condens Matter. 1988 Nov 15;38(14):10146-10149. doi: 10.1103/physrevb.38.10146.
9
Atomic structure of Si(111)-( sqrt 3 x sqrt 3 )R30 degrees-Al studied by dynamical low-energy electron diffraction.
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Oct 15;42(12):7483-7486. doi: 10.1103/physrevb.42.7483.
10
Adatom registry on Si(111)-( sqrt 3 x sqrt 3 )R30 degrees-B.硅（111）-（√3×√3）R30°-B表面上的吸附原子配向
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Apr 15;41(11):7545-7548. doi: 10.1103/physrevb.41.7545.