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Electrical conduction in the Si(111):B-( sqrt 3 x sqrt 3 )R30 degrees/a-Si interface reconstruction.

作者信息

Headrick RL, Levi AF, Luftman HS, Kovalchick J, Feldman LC

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1991 Jun 15;43(18):14711-14714. doi: 10.1103/physrevb.43.14711.

DOI:10.1103/physrevb.43.14711
PMID:9997366
Abstract
摘要

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Electrical conduction in the Si(111):B-( sqrt 3 x sqrt 3 )R30 degrees/a-Si interface reconstruction.硅（111）：硼 - （√3×√3）R30°/非晶硅界面重构中的导电情况。
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