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Pressure-induced resonance broadening of exciton line shapes in semiconductors: Direct determination of intervalley scattering rates in GaAs.

作者信息

Satpathy S, Chandrasekhar M, Chandrasekhar HR, Venkateswaran U

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1991 Nov 15;44(20):11339-11344. doi: 10.1103/physrevb.44.11339.

DOI:10.1103/physrevb.44.11339
PMID:9999257
Abstract
摘要

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Pressure-induced resonance broadening of exciton line shapes in semiconductors: Direct determination of intervalley scattering rates in GaAs.
Phys Rev B Condens Matter. 1991 Nov 15;44(20):11339-11344. doi: 10.1103/physrevb.44.11339.
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