• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Temperature dependence of the photoreflectance spectra of a GaAs/Al0.3Ga0.7As doping superlattice.

作者信息

Keil UD, Linder N, Schmidt K, Döhler GH, Miller JN

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1991 Dec 15;44(24):13504-13512. doi: 10.1103/physrevb.44.13504.

DOI:10.1103/physrevb.44.13504
PMID:9999553
Abstract
摘要

相似文献

1
Temperature dependence of the photoreflectance spectra of a GaAs/Al0.3Ga0.7As doping superlattice.GaAs/Al0.3Ga0.7As掺杂超晶格光反射谱的温度依赖性
Phys Rev B Condens Matter. 1991 Dec 15;44(24):13504-13512. doi: 10.1103/physrevb.44.13504.
2
Phonon satellite strengths in the photoluminescence spectra of a type-II GaAs/Al0.3Ga0.7As superlattice at elevated pressures.高压下II型GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格光致发光光谱中的声子卫星峰强度
Phys Rev B Condens Matter. 1995 Apr 15;51(15):9735-9741. doi: 10.1103/physrevb.51.9735.
3
Lateral photovoltaic effect observed in doping-modulated GaAs/AlGaAs.在掺杂调制的GaAs/AlGaAs中观察到横向光伏效应。
Opt Express. 2017 Feb 20;25(4):A166-A175. doi: 10.1364/OE.25.00A166.
4
chi (5) signature in the four-wave-mixing signal from a GaAs/Al0.3Ga0.7As superlattice.
Phys Rev B Condens Matter. 1995 Apr 15;51(16):11217-11220. doi: 10.1103/physrevb.51.11217.
5
Temperature and many-body effects on the intersubband transition in a GaAs/Al0.3Ga0.7As multiple quantum well.温度和多体效应在GaAs/Al0.3Ga0.7As多量子阱中的子带间跃迁上的影响
Phys Rev B Condens Matter. 1994 Oct 15;50(16):11618-11623. doi: 10.1103/physrevb.50.11618.
6
Fabrication of GaAs/Al0.3Ga0.7As multiple quantum well nanostructures on (100) si substrate using a 1-nm InAs relief layer.
J Nanosci Nanotechnol. 2014 Apr;14(4):2984-9. doi: 10.1166/jnn.2014.8593.
7
Photoluminescence due to a bound-to-bound transition in a GaAs-Al0.3Ga0.7As quantum-well structure.由于GaAs - Al0.3Ga0.7As量子阱结构中束缚态到束缚态跃迁产生的光致发光。
Phys Rev B Condens Matter. 1991 Apr 15;43(11):9087-9095. doi: 10.1103/physrevb.43.9087.
8
Optical properties of excitons in GaAs/Al0.3Ga0.7As symmetric double quantum wells.GaAs/Al0.3Ga0.7As对称双量子阱中激子的光学性质。
Phys Rev B Condens Matter. 1992 Jan 15;45(4):1784-1792. doi: 10.1103/physrevb.45.1784.
9
Design and comparison of GaAs, GaAsP and InGaAlAs quantum-well active regions for 808-nm VCSELs.用于808纳米垂直腔面发射激光器的砷化镓、磷砷化镓和铟镓铝砷量子阱有源区的设计与比较。
Opt Express. 2011 Jun 20;19(13):12569-81. doi: 10.1364/OE.19.012569.
10
Origin of the blueshift in the intersubband infrared absorption in GaAs/Al0.3Ga0.7As multiple quantum wells.GaAs/Al0.3Ga0.7As多量子阱中带间红外吸收蓝移的起源。
Phys Rev B Condens Matter. 1991 Apr 15;43(12):9996-9999. doi: 10.1103/physrevb.43.9996.