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Photoluminescence line shape associated with e-A0 acceptor-related recombination in GaAs-(Ga,Al)As quantum wells under applied electric field.

作者信息

Santiago RB, Oliveira LE

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1993 Aug 15;48(7):4498-4502. doi: 10.1103/physrevb.48.4498.

DOI:10.1103/physrevb.48.4498
PMID:10008928
Abstract
摘要

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1
Photoluminescence line shape associated with e-A0 acceptor-related recombination in GaAs-(Ga,Al)As quantum wells under applied electric field.在施加电场下，与GaAs-(Ga,Al)As量子阱中电子-A0受体相关复合有关的光致发光线形。
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