• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Electric-field effects on shallow impurity states in GaAs-(Ga,Al)As quantum wells.

作者信息

López-Gondar J, Oliveira LE

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1990 Oct 15;42(11):7069-7077. doi: 10.1103/physrevb.42.7069.

DOI:10.1103/physrevb.42.7069
PMID:9994832
Abstract
摘要

相似文献

1
Electric-field effects on shallow impurity states in GaAs-(Ga,Al)As quantum wells.电场对GaAs-(Ga,Al)As量子阱中浅杂质态的影响。
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Oct 15;42(11):7069-7077. doi: 10.1103/physrevb.42.7069.
2
Laser-dressing and magnetic-field effects on shallow-donor impurity states in semiconductor GaAs-Ga(1-x)Al(x)As cylindrical quantum-well wires.激光修饰和磁场对半导体 GaAs-Ga(1-x)Al(x)As 圆柱量子阱线中浅施主杂质态的影响。
J Phys Condens Matter. 2010 Feb 3;22(4):045303. doi: 10.1088/0953-8984/22/4/045303. Epub 2010 Jan 12.
3
Impurity-related optical absorption from GaAs-(Ga,Al)As quantum wells under an applied electric field.外加电场下GaAs-(Ga,Al)As量子阱中与杂质相关的光吸收
Phys Rev B Condens Matter. 1992 Aug 15;46(7):4041-4046. doi: 10.1103/physrevb.46.4041.
4
Terahertz-induced optical emission of photoexcited undoped GaAs quantum wells.太赫兹诱导光致激发未掺杂 GaAs 量子阱的光发射。
Phys Rev Lett. 2013 Aug 9;111(6):067401. doi: 10.1103/PhysRevLett.111.067401. Epub 2013 Aug 6.
5
Effects of hydrostatic pressure on the electron [Formula: see text] factor and g-factor anisotropy in GaAs-(Ga, Al)As quantum wells under magnetic fields.静水压力对磁场下GaAs-(Ga, Al)As量子阱中电子[公式：见原文]因子和g因子各向异性的影响。
J Phys Condens Matter. 2008 Nov 19;20(46):465220. doi: 10.1088/0953-8984/20/46/465220. Epub 2008 Oct 27.
6
Photoluminescence line shape associated with e-A0 acceptor-related recombination in GaAs-(Ga,Al)As quantum wells under applied electric field.在施加电场下，与GaAs-(Ga,Al)As量子阱中电子-A0受体相关复合有关的光致发光线形。
Phys Rev B Condens Matter. 1993 Aug 15;48(7):4498-4502. doi: 10.1103/physrevb.48.4498.
7
Magnetotunneling spectroscopy of dilute Ga(AsN) quantum wells.稀磁砷化镓氮量子阱的磁隧道光谱学
Phys Rev Lett. 2003 Sep 19;91(12):126802. doi: 10.1103/PhysRevLett.91.126802. Epub 2003 Sep 16.
8
Coupling-barrier and non-parabolicity effects on the conduction electron cyclotron effective mass and Landé [Formula: see text] factor in GaAs double quantum wells.耦合势垒和非抛物效应对 GaAs 双量子阱中传导电子回旋有效质量和朗德[Formula: see text]因子的影响。
J Phys Condens Matter. 2011 Feb 16;23(6):065303. doi: 10.1088/0953-8984/23/6/065303. Epub 2011 Jan 26.
9
The effect of magnetic field on the impurity binding energy of shallow donor impurities in a Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs quantum well.磁场对 Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs 量子阱中浅施主杂质束缚能的影响。
Nanoscale Res Lett. 2012 Oct 24;7(1):586. doi: 10.1186/1556-276X-7-586.
10
Electric field dependence of the binding energy of shallow donors in GaAs-Ga1-xAlxAs quantum wells.GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱中浅施主结合能的电场依赖性
Phys Rev B Condens Matter. 1985 Aug 15;32(4):2378-2381. doi: 10.1103/physrevb.32.2378.

引用本文的文献

1
Optoelectronic Properties of Shallow Donor Atom in 2D-Curved Nanostructures Under External Electric and Magnetic Fields.二维弯曲纳米结构中浅施主原子在外部电场和磁场下的光电特性
Nanomaterials (Basel). 2024 Dec 26;15(1):15. doi: 10.3390/nano15010015.