通过电子显微镜测量点缺陷的性质：砷化镓中的镓空位 - Suppr | 超能文献

Measuring properties of point defects by electron microscopy: The Ga vacancy in GaAs.

作者信息

Rouviere JL, Kim Y, Cunningham J, Rentschler JA, Bourret A, Ourmazd A

出版信息

Phys Rev Lett. 1992 May 4;68(18):2798-2801. doi: 10.1103/PhysRevLett.68.2798.

DOI:10.1103/PhysRevLett.68.2798

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