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Generation of point defects in crystalline silicon by MeV heavy ions: Dose rate and temperature dependence.

作者信息

Svensson BG, Jagadish C, Williams JS

出版信息

Phys Rev Lett. 1993 Sep 20;71(12):1860-1863. doi: 10.1103/PhysRevLett.71.1860.

DOI:10.1103/PhysRevLett.71.1860
PMID:10054518
Abstract
摘要

相似文献

1
Generation of point defects in crystalline silicon by MeV heavy ions: Dose rate and temperature dependence.
Phys Rev Lett. 1993 Sep 20;71(12):1860-1863. doi: 10.1103/PhysRevLett.71.1860.
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