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InGaN/GaN超晶格中的电流和应变诱导自旋极化

Current and strain-induced spin polarization in InGaN/GaN superlattices.

作者信息

Chang H J, Chen T W, Chen J W, Hong W C, Tsai W C, Chen Y F, Guo G Y

机构信息

Department of Physics, National Taiwan University, Taipei 106, Taiwan.

出版信息

Phys Rev Lett. 2007 Mar 30;98(13):136403. doi: 10.1103/PhysRevLett.98.136403. Epub 2007 Mar 28.

DOI:10.1103/PhysRevLett.98.136403
PMID:17501224
Abstract

The lateral current-induced spin polarization in InGaN/GaN superlattices (SLs) without an applied magnetic field is reported. The fact that the sign of the nonequilibrium spin changes as the current reverses and is opposite for the two edges provides a clear signature for the spin Hall effect. In addition, it is discovered that the spin Hall effect can be strongly manipulated by the internal strains. A theoretical work has also been developed to understand the observed strain-induced spin polarization. Our result paves an alternative way for the generation of spin polarized current.

摘要

报道了在未施加磁场的InGaN/GaN超晶格(SLs)中横向电流诱导的自旋极化。非平衡自旋的符号随着电流反向而改变,并且在两条边缘处相反,这一事实为自旋霍尔效应提供了明确的特征。此外,还发现自旋霍尔效应可被内部应变强烈操控。还开展了一项理论工作来理解所观察到的应变诱导自旋极化。我们的结果为产生自旋极化电流开辟了一条替代途径。

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