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在硅衬底上由金胶体生长出的垂直取向锗纳米线以及随后的金去除。

Vertically oriented germanium nanowires grown from gold colloids on silicon substrates and subsequent gold removal.

作者信息

Woodruff Jacob H, Ratchford Joshua B, Goldthorpe Irene A, McIntyre Paul C, Chidsey Christopher E D

机构信息

Department of Chemistry, Stanford University, Stanford, California 94305-5080, USA.

出版信息

Nano Lett. 2007 Jun;7(6):1637-42. doi: 10.1021/nl070595x. Epub 2007 May 27.

DOI:10.1021/nl070595x
PMID:17530912
Abstract

A linker-free method to deposit citrate-stabilized Au colloids onto hydrogen-terminated Si by acidifying the Au colloid solution with HF or HCl is presented. This method prevents oxide formation and provides a model system for studying orientation control of nanowires by epitaxy. Conditions are reported that result in vertically oriented Ge nanowires of uniform diameter and length on Si(111). We then present a method to remove Au catalysts from the nanowires with aqueous triiodide and HCl.

摘要

提出了一种无连接剂的方法,通过用HF或HCl酸化金胶体溶液,将柠檬酸盐稳定的金胶体沉积到氢终止的硅上。该方法可防止氧化物形成,并为通过外延研究纳米线的取向控制提供了一个模型系统。报道了在Si(111)上形成直径和长度均匀的垂直取向锗纳米线的条件。然后,我们提出了一种用三碘化水溶液和HCl从纳米线上去除金催化剂的方法。

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