Suppr超能文献

在硅衬底上由金胶体生长出的垂直取向锗纳米线以及随后的金去除。

Vertically oriented germanium nanowires grown from gold colloids on silicon substrates and subsequent gold removal.

作者信息

Woodruff Jacob H, Ratchford Joshua B, Goldthorpe Irene A, McIntyre Paul C, Chidsey Christopher E D

机构信息

Department of Chemistry, Stanford University, Stanford, California 94305-5080, USA.

出版信息

Nano Lett. 2007 Jun;7(6):1637-42. doi: 10.1021/nl070595x. Epub 2007 May 27.

Abstract

A linker-free method to deposit citrate-stabilized Au colloids onto hydrogen-terminated Si by acidifying the Au colloid solution with HF or HCl is presented. This method prevents oxide formation and provides a model system for studying orientation control of nanowires by epitaxy. Conditions are reported that result in vertically oriented Ge nanowires of uniform diameter and length on Si(111). We then present a method to remove Au catalysts from the nanowires with aqueous triiodide and HCl.

摘要

提出了一种无连接剂的方法,通过用HF或HCl酸化金胶体溶液,将柠檬酸盐稳定的金胶体沉积到氢终止的硅上。该方法可防止氧化物形成,并为通过外延研究纳米线的取向控制提供了一个模型系统。报道了在Si(111)上形成直径和长度均匀的垂直取向锗纳米线的条件。然后,我们提出了一种用三碘化水溶液和HCl从纳米线上去除金催化剂的方法。

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