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超高峰值功率半导体二极管激光阵列。

Ultrahigh-power semiconductor diode laser arrays.

出版信息

Science. 1987 Sep 11;237(4820):1305-9. doi: 10.1126/science.237.4820.1305.

DOI:10.1126/science.237.4820.1305
PMID:17801470
Abstract

The power available from transistor-sized semiconductor diode lasers has increased rapidly in recent years, more than doubling every year. Continuous outputs of several watts and pulsed powers in the kilowatt range with 50 percent overall efficiency are now possible with these compact devices. These developments may signal the start of a technological advancement in optics comparable to the solid-state revolution in electronics 20 years ago.

摘要

近年来,晶体管大小的半导体二极管激光器的功率迅速增加,每年翻一番还不止。现在,这些紧凑型设备可以实现几瓦的连续输出和千瓦级的脉冲功率,整体效率达到 50%。这些发展可能标志着光学技术的进步开始,可与 20 年前电子学中的固态革命相媲美。

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