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CdSe/ZnS 量子点的反聚束单光子发射和闪烁抑制。

Antibunching single-photon emission and blinking suppression of CdSe/ZnS quantum dots.

机构信息

Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, Taiwan.

出版信息

ACS Nano. 2009 Oct 27;3(10):3051-6. doi: 10.1021/nn900760u.

DOI:10.1021/nn900760u
PMID:19856980
Abstract

We demonstrated that by properly coupling to silver nanoprisms, single CdSe/ZnS semiconductor quantum dots (QDs) exhibited suppressed blinking behavior, an enhanced fluorescence intensity ( approximately 2.5 fold), increased radiative decay rates ( approximately 12.5 fold), and antibunching single-photon emission. All these modifications significantly promote the overall performance of the proposed single-photon sources based on colloidal semiconductor QDs.

摘要

我们证明,通过适当耦合到银纳米棱镜,单个 CdSe/ZnS 半导体量子点(QD)表现出抑制的闪烁行为、增强的荧光强度(约 2.5 倍)、增加的辐射衰减率(约 12.5 倍)和反聚束单光子发射。所有这些改进都显著提高了基于胶体半导体 QD 的单光子源的整体性能。

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